Cette large gamme de spectromètres de masse est dédiée à l’analyse de gaz résiduels (RGA), de plasma, mais aussi à l’analyse de surface et à la détection de fin d’attaque par SIMS.
HPR-30 : mesure les gaz de procédés sous vide, les contaminations et la détection de fuites
- Analyseur de gaz résiduels pour analyses de procédés sous vide
- Gamme de masse : 200, 300 ou 510 amu
- Mesure la composition des gaz de procédés sous vide : oui
- Mesure de contaminations et détection de fuites : oui
- Concentration minimale détectable : 5 ppb
- Pression d’échantillonnage (standard) : 10-3 à 5 mbar
- Pression d’échantillonnage (option) : < 10-4 mbar
- Vitesse de mesure : jusqu’à 500 mesures par seconde


EQP : mesure de spectres de masse et de distribution d'énergie des ions, neutres et radicaux dans les plasmas
- Pour l’analyse d’ions positifs ou négatifs, de neutres, ou de radicaux issus de procédés plasmas
- Gamme de masse : 300, 510, ou 1000 amu
- Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
- Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
- Pression de plasma (standard) : jusqu’à 0.5 mbar
- Pression de plasma (option) : jusqu’à 2 mbar, 100 mbar et pression atmosphérique
- Options d’échantillonnage : électrodes DC et RF
- Gamme d’analyse en énergie : 100 eV ou 1000 eV
PSM : mesure de spectres de masse pour les ions, neutres, et radicaux dans les plasmas
- Analyseur en masse et énergie pour le diagnostic plasma
- Gamme de masse : 300 ou 510 amu
- Analyse d’ions : ions positifs
- Analyse d’ions (option) : ions négatifs
- Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
- Pression de plasma : jusqu’à 0.5 mbar
- Gamme d’analyse en énergie : 100 eV


ESPion : mesure des propriétés électriques des plasmas basse pression
- Sonde de Langmuir évoluée pour diagnostics plasma
- Types de plasmas : pour plasmas DC, RF, pulses ou ECR
- Densité d’ions et d’électrons : 1014 – 1019 m3
- Température électronique : jusqu’à 10 eV
- Pression de plasma : jusqu’à 0.5 mbar
- Option pour bras translateur : 300, 600 ou 900 mm
XBS : analyse de faisceaux d'ions et contrôle de la vitesse de dépôt
- Système pour l’analyse de plusieurs sources dans les applications de déposition MBE
- Gamme de masse : 320 ou 510 amu
- Détermination du taux de croissance : < 0,01 Angstrom par seconde, dépendant des espèces
- Source spécifique pour faisceaux d’ions croisés : +/-35o d’ouverture des faisceaux – modélisé en 3D
- Données de sortie : sorties analogiques en temps réel
- Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuites et analyse du vide


IMP-EPD : détection de fin d'attaque pour gravure par plasma ou faisceau d'ions
- Système pour le contrôle de gravure ionique et qualité optimum du procédé
- Gamme de masse : 300 ou 510 amu
- Analyse de multicouches : fin d’attaque à +/- 5 Angstrom
- Haute sensibilité : opère avec des couches couvertes à 99.9%
- Automatisé : recettes d’automatisation intégrées
- Comptage de couches : oui
- Fin d’attaque sur interface sélectionnée : oui
- Fin d’attaque sur multicouche : oui
- Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide
TPD Workstation : mesure de désorption programmée en température pour couches minces
- Système pour études de désorption programmée en désorption UHV (TPD/TDS)
- Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
- Poste échantillon chauffant : ambiant à 1000oC
- Vitesse de rampe : 20 – 40oC par minute
- Détecteur : compteur d’ions (PIC)
- Affichage en temps réel 3D : oui
- Vues de données multiples : oui
- Intégration de pics et dé convolution : oui
- Soustraction de background : oui
- Chambre sous vide multi ports : oui
- Permet l’adaptation d’instrumentation supplémentaire : oui (comme l’ellipsométrie)
- Vitesse de mesure : jusqu’à 500 mesures par seconde
- Taille de l’échantillon : 10 x 10 mm


SIMS/SNMS Workstation : caractérisation rapide et facile de la structure de couches, contamination de surface et impuretés
- Une conception avancée pour l’analyse de surfaces
- Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
- Concentration minimale détectable : analyse de contamination au niveau ppm/ppb
- SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou oxygène, d’argon ou césium)
- SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou oxygène, d’argon ou césium)
- Résolution en épaisseur : +/- 5 nm
- Concentration minimale détectable – SIMS : 1016 atomes par cm3 – dépendant des espèces
- Concentration minimale détectable – SNMS : 0.01% – dépendant des espèces
- Chambre UHV multiports : oui
- Permet l’adaptation d’instrumentation supplémentaire : oui (XPS)
Compact SIMS : mesure la composition de surface des premiers nanomètres ou micromètres
- Système d’analyse UHV pour profilage de couches minces
- Gamme de masse : 50, 300, 510 ou 1000 amu
- Concentration minimale détectable : ppm
- SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène ou argon)
- SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène ou argon)
- Résolution en épaisseur : 3 nm
- Concentration minimale détectable – SIMS : 1017 atomes cm-3
- Concentration minimale détectable – SNMS : 1%
- Chambre UHV multiports : chambre à géométrie fixée facile d’accès
- Instruments supplémentaires : non


EQS : utilisé avec un système SIMS ou FIB-SEM - fournit une analyse de composition de surface et une cartographie des éléments
- Analyseur SIMS
- Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
- Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
- Analyses d’énergie d’ions : 100eV, 1000eV (option)
- Sensibilité : > 106 comptage/seconde par nano ampère pour Aluminium
- Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide
- SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou césium)
- Microscopie FIB-SEM – SIMS : oui
- Compatible avec microscope à faisceau électronique finement focalisé : oui (comme le FIB-SEM Zeiss Auriga 60)
MAXIM : utilisé avec un système SIMS/SNMS - permet l'analyse de composition de surface ainsi que la cartographie des éléments
- Analyseur SIMS/SNMS
- Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
- Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
- Analyse d’énergie d’ions : 100 eV
- Sensibilité : > 106 comptage/second par nano ampère pour Aluminium
- SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, argon ou césium)
- SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
- Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, argon ou césium)
- Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide


IG5C : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives
- Canon à ions au Césium de 5keV pour les applications d’analyse de surfaces
- Ions primaires : Cs+
- Energie d’ions : 0.5 à 5.0 KeV
- Diamètre de spot minimum : 20 µm
- Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
- Courant de faisceau d’ions : 0.1 à 150 nA
- Taux de gravure maximum : 30 nm/min pour une cible en silicium
IG20 : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives
- Canon à ions de 5keV Argon ou Oxygène pour l’analyse de surface en UHV
- Ions primaires : Oxygène, Argon, Xénon
- Energie d’ions : 0.5 à 5 KeV
- Taille minimale du spot (cartographie des éléments) : 50 µm
- Taille minimale du spot (profilage en épaisseur) : 100 µm
- Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
- Courant de faisceaux d’ions : 1.0 à 800 nano ampères
- Taux de gravure rapide typiques – Si (5keV Ar 600nA) : 50nm/s, cratère de 450µm x 650µm
