Cette large gamme de spectromètres de masse est dédiée à l’analyse de gaz résiduels (RGA), de plasma, mais aussi à l’analyse de surface et à la détection de fin d’attaque par SIMS.

HPR-30 : mesure les gaz de procédés sous vide, les contaminations et la détection de fuites

  • Analyseur de gaz résiduels pour analyses de procédés sous vide
  • Gamme de masse : 200, 300 ou 510 amu
  • Mesure la composition des gaz de procédés sous vide : oui
  • Mesure de contaminations et détection de fuites : oui
  • Concentration minimale détectable : 5 ppb
  • Pression d’échantillonnage (standard) : 10-3 à 5 mbar
  • Pression d’échantillonnage (option) : < 10-4 mbar
  • Vitesse de mesure : jusqu’à 500 mesures par seconde

EQP : mesure de spectres de masse et de distribution d'énergie des ions, neutres et radicaux dans les plasmas

  • Pour l’analyse d’ions positifs ou négatifs, de neutres, ou de radicaux issus de procédés plasmas
  • Gamme de masse : 300, 510, ou 1000 amu
  • Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
  • Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
  • Pression de plasma (standard) : jusqu’à 0.5 mbar
  • Pression de plasma (option) : jusqu’à 2 mbar, 100 mbar et pression atmosphérique
  • Options d’échantillonnage : électrodes DC et RF
  • Gamme d’analyse en énergie : 100 eV ou 1000 eV

PSM : mesure de spectres de masse pour les ions, neutres, et radicaux dans les plasmas

  • Analyseur en masse et énergie pour le diagnostic plasma
  • Gamme de masse : 300 ou 510 amu
  • Analyse d’ions : ions positifs
  • Analyse d’ions (option) : ions négatifs
  • Analyse de neutres : neutres et radicaux neutres
  • Pression de plasma : jusqu’à 0.5 mbar
  • Gamme d’analyse en énergie : 100 eV

ESPion : mesure des propriétés électriques des plasmas basse pression

  • Sonde de Langmuir évoluée pour diagnostics plasma
  • Types de plasmas : pour plasmas DC, RF, pulses ou ECR
  • Densité d’ions et d’électrons : 1014 – 1019 m3
  • Température électronique : jusqu’à 10 eV
  • Pression de plasma : jusqu’à 0.5 mbar
  • Option pour bras translateur : 300, 600 ou 900 mm

XBS : analyse de faisceaux d'ions et contrôle de la vitesse de dépôt

  • Système pour l’analyse de plusieurs sources dans les applications de déposition MBE
  • Gamme de masse : 320 ou 510 amu
  • Détermination du taux de croissance : < 0,01 Angstrom par seconde, dépendant des espèces
  • Source spécifique pour faisceaux d’ions croisés : +/-35o d’ouverture des faisceaux – modélisé en 3D
  • Données de sortie : sorties analogiques en temps réel
  • Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuites et analyse du vide

IMP-EPD : détection de fin d'attaque pour gravure par plasma ou faisceau d'ions

  • Système pour le contrôle de gravure ionique et qualité optimum du procédé
  • Gamme de masse : 300 ou 510 amu
  • Analyse de multicouches : fin d’attaque à +/- 5 Angstrom
  • Haute sensibilité : opère avec des couches couvertes à 99.9%
  • Automatisé : recettes d’automatisation intégrées
  • Comptage de couches : oui
  • Fin d’attaque sur interface sélectionnée : oui
  • Fin d’attaque sur multicouche : oui
  • Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide

TPD Workstation : mesure de désorption programmée en température pour couches minces

  • Système pour études de désorption programmée en désorption UHV (TPD/TDS)
  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Poste échantillon chauffant : ambiant à 1000oC
  • Vitesse de rampe : 20 – 40oC par minute
  • Détecteur : compteur d’ions (PIC)
  • Affichage en temps réel 3D : oui
  • Vues de données multiples : oui
  • Intégration de pics et dé convolution : oui
  • Soustraction de background : oui
  • Chambre sous vide multi ports : oui
  • Permet l’adaptation d’instrumentation supplémentaire : oui (comme l’ellipsométrie)
  • Vitesse de mesure : jusqu’à 500 mesures par seconde
  • Taille de l’échantillon : 10 x 10 mm

SIMS/SNMS Workstation : caractérisation rapide et facile de la structure de couches, contamination de surface et impuretés

  • Une conception avancée pour l’analyse de surfaces
  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Concentration minimale détectable : analyse de contamination au niveau ppm/ppb
  • SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou oxygène, d’argon ou césium)
  • SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou oxygène, d’argon ou césium)
  • Résolution en épaisseur : +/- 5 nm
  • Concentration minimale détectable – SIMS : 1016 atomes par cm3 – dépendant des espèces
  • Concentration minimale détectable – SNMS : 0.01% – dépendant des espèces
  • Chambre UHV multiports : oui
  • Permet l’adaptation d’instrumentation supplémentaire : oui (XPS)

Compact SIMS : mesure la composition de surface des premiers nanomètres ou micromètres

  • Système d’analyse UHV pour profilage de couches minces
  • Gamme de masse : 50, 300, 510 ou 1000 amu
  • Concentration minimale détectable : ppm
  • SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène ou argon)
  • SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène ou argon)
  • Résolution en épaisseur : 3 nm
  • Concentration minimale détectable – SIMS : 1017 atomes cm-3
  • Concentration minimale détectable – SNMS : 1%
  • Chambre UHV multiports : chambre à géométrie fixée facile d’accès
  • Instruments supplémentaires : non

EQS : utilisé avec un système SIMS ou FIB-SEM - fournit une analyse de composition de surface et une cartographie des éléments

  • Analyseur SIMS
  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
  • Analyses d’énergie d’ions : 100eV, 1000eV (option)
  • Sensibilité : > 106 comptage/seconde par nano ampère pour Aluminium
  • Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide
  • SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, d’argon ou césium)
  • Microscopie FIB-SEM – SIMS : oui
  • Compatible avec microscope à faisceau électronique finement focalisé : oui (comme le FIB-SEM Zeiss Auriga 60)

MAXIM : utilisé avec un système SIMS/SNMS - permet l'analyse de composition de surface ainsi que la cartographie des éléments

  • Analyseur SIMS/SNMS
  • Gamme de masse : 300, 510 ou 1000 amu
  • Analyse d’ions : ions positifs et négatifs
  • Analyse d’énergie d’ions : 100 eV
  • Sensibilité : > 106 comptage/second par nano ampère pour Aluminium
  • SIMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, argon ou césium)
  • SNMS – Spectrométrie de masse d’ions secondaires : oui
  • Analyse des ions produits par la surface : oui (ions primaires d’oxygène, argon ou césium)
  • Mode RGA – analyse de gaz résiduels : détection de fuite et analyse du vide

IG5C : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives

  • Canon à ions au Césium de 5keV pour les applications d’analyse de surfaces
  • Ions primaires : Cs+
  • Energie d’ions : 0.5 à 5.0 KeV
  • Diamètre de spot minimum : 20 µm
  • Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
  • Courant de faisceau d’ions : 0.1 à 150 nA
  • Taux de gravure maximum : 30 nm/min pour une cible en silicium

IG20 : source d'ions primaires pour SIMS/SNMS et cartographie des éléments d'espèces électronégatives

  • Canon à ions de 5keV Argon ou Oxygène pour l’analyse de surface en UHV
  • Ions primaires : Oxygène, Argon, Xénon
  • Energie d’ions : 0.5 à 5 KeV
  • Taille minimale du spot (cartographie des éléments) : 50 µm
  • Taille minimale du spot (profilage en épaisseur) : 100 µm
  • Champ de déflection pour la cartographie : +/- 4 mm
  • Courant de faisceaux d’ions : 1.0 à 800 nano ampères
  • Taux de gravure rapide typiques – Si (5keV Ar 600nA) : 50nm/s, cratère de 450µm x 650µm